- Модель продукта PBSS4230PANP,115
- Бренд NXP Semiconductors
- RoHS No
- Описание NOW NEXPERIA PBSS4230PANP - SMAL
- Классификация Биполярные транзисторные матрицы
Инвентаризация:22500
Технические детали
- Пакет/кейс 6-UFDFN Exposed Pad
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип транзистора 1 NPN, 1 PNP
- Рабочая Температура 150°C (TJ)
- Мощность - Макс. 510mW
- Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 2A
- Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 30V
- Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 290mV @ 200mA, 2A
- Ток-отсечка коллектора (макс.) 100nA (ICBO)
- Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 200 @ 1A, 2V
- Частота – переход 120MHz
- Пакет устройств поставщика 6-HUSON (2x2)