Инвентаризация:2799

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerSFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 33A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 75mOhm @ 11.4A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 188W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4.5V @ 570µA
  • Пакет устройств поставщика PG-HSOF-8-1
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 600 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 51 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2103 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


IGBT MODULE 1200V 10A 20MW EASY

Инвентаризация: 21

IGBT TRENCH FS 650V 80A HSIP247

Инвентаризация: 160

MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

Инвентаризация: 463

TRENCH >=100V

Инвентаризация: 784

MOSFET N-CH 600V 21A 8HSOF

Инвентаризация: 2000

TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-5

Инвентаризация: 977

TRENCH >=100V PG-HSOF-5

Инвентаризация: 1663

OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V

Инвентаризация: 5000

SENSOR 15.95PSIA DSOF8

Инвентаризация: 3955

Top