Инвентаризация:14356

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerWDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 8.8A (Ta), 22A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 16.5mOhm @ 8.8A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 2.5W (Ta), 78W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика 8-MLP (5x6), Power56
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 6V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 80 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 40 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2490 pF @ 40 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 100V 57A 8PQFN

Инвентаризация: 9710

MOSFET N-CH 100V 8.9A/49A 8PQFN

Инвентаризация: 29141

MOSFET N-CH 100V 151A POWER56

Инвентаризация: 2900

MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8

Инвентаризация: 9850

Top