Инвентаризация:7520

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 20A (Ta), 100A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 3.4mOhm @ 50A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 156W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.3V @ 115µA
  • Пакет устройств поставщика PG-TDSON-8-7
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 46 nC @ 4.5 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 6500 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON

Инвентаризация: 19201

MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8-7

Инвентаризация: 7615

MOSFET N-CH 40V 21A/98A TDSON

Инвентаризация: 16184

MOSFET N-CH 100V 19A/100A TDSON

Инвентаризация: 26845

MOSFET N-CH 100V 13.8A 8TDSON

Инвентаризация: 6369

MOSFET N-CH 100V 93.6A PPAK SO-8

Инвентаризация: 1629

Top