Технические детали

• Пакет/кейс DirectFET™ Isometric MC
• Тип монтажа Surface Mount
• Конфигурация 2 P-Channel (Dual)
• Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Мощность - Макс. 2.1W (Ta), 57W (Tc)
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 30V
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 14A (Ta), 75A (Tc)
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3241pF @ 15V
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 7mOhm @ 14A, 10V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 64nC @ 4.5V
• Vgs(th) (Макс) @ Id 2.4V @ 50µA
• Пакет устройств поставщика DirectFET™ Isometric MC