Технические детали

• Пакет/кейс TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• Тип монтажа Through Hole
• Тип транзистора PNP - Pre-Biased
• Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
• Ток-отсечка коллектора (макс.) 500nA
• Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 5V
• Пакет устройств поставщика 3-NP
• Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 500 mA
• Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 50 V
• Мощность - Макс. 600 mW
• Частота – переход 200 MHz
• Резистор — база (R1) 2.2 kOhms
• Резистор — база эмиттера (R2) 10 kOhms