Технические детали

• Пакет/кейс DirectFET™ Isometric SQ
• Тип монтажа Surface Mount
• Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Тип полевого транзистора N-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 14A (Ta), 60A (Tc)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 7.3mOhm @ 14A, 10V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 2.2W (Ta), 42W (Tc)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 2.4V @ 25µA
• Пакет устройств поставщика DirectFET™ Isometric SQ
• ВГС (Макс) ±20V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 17 nC @ 4.5 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1430 pF @ 15 V