- Модель продукта SISS80DN-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS 0
- Описание MOSFET N-CH 20V 58.3A/210A PPAK
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:13333
Технические детали
- Пакет/кейс PowerPAK® 1212-8S
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 58.3A (Ta), 210A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 0.92mOhm @ 10A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 5W (Ta), 65W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 1.5V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика PowerPAK® 1212-8S
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 2.5V, 10V
- ВГС (Макс) +12V, -8V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 122 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 6450 pF @ 10 V