Инвентаризация:3000

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN, 5 Leads
  • Тип монтажа Surface Mount, Wettable Flank
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 11A (Ta), 42A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 13.1mOhm @ 10A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 3.6W (Ta), 54W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2V @ 45µA
  • Пакет устройств поставщика 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 80 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 17 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 906 pF @ 40 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 80V 13A/59A 5DFN

Инвентаризация: 1235

MOSFET N-CH 80V 11A/42A 5DFN

Инвентаризация: 2459

MOSFET N-CH 80V 10A/41A 8WDFN

Инвентаризация: 0

Top