Инвентаризация:2940

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Мощность - Макс. 3.1W (Ta), 36W (Tc)
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60V
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 9A (Ta), 32A (Tc)
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 489pF @ 30V
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 16.3mOhm @ 5A, 10V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 6.9nC @ 10V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 25µA
  • Пакет устройств поставщика 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 60V 13.1A PWRDI50

Инвентаризация: 18391

MOSFET 2N-CH 60V 8A/27A 8DFN

Инвентаризация: 1290

MOSFET 2N-CH 60V 7A/19A 8DFN

Инвентаризация: 1380

Top