Инвентаризация:1680

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-4
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 77A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 44mOhm @ 30A, 20V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 283W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.7V @ 2mA (Typ)
  • Пакет устройств поставщика TO-247-4
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 20V
  • ВГС (Макс) +23V, -10V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 700 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 99 nC @ 20 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2010 pF @ 700 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-4

Инвентаризация: 261

MOSFET N-CH 500V 9A TO252-3

Инвентаризация: 1454

SICFET N-CH 700V 131A TO247-3

Инвентаризация: 415

TRANS SJT N-CH 700V 140A TO247-4

Инвентаризация: 46

MOSFET N-CH 700V TO247

Инвентаризация: 16

SICFET N-CH 1200V 66A TO247-4

Инвентаризация: 87

SICFET N-CH 700V TO247-3

Инвентаризация: 12

Top