Инвентаризация:21106

Технические детали

  • Пакет/кейс 3-XFDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 900mA (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 460mOhm @ 700mA, 4.5V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 360mW (Ta), 2.23W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 950mV @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика DFN0606-3
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 1.5V, 4.5V
  • ВГС (Макс) ±8V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 0.93 nC @ 4.5 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 4540 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


DIODE ZENER 13V 3W SMB

Инвентаризация: 5157

MOSFET P-CH 20V 800MA DFN0606-3

Инвентаризация: 15612

MOSFET N-CH 20V 800MA DFN0606-3

Инвентаризация: 6348

MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006-3

Инвентаризация: 19331

Top