Инвентаризация:2670

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerVDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 86A (Ta), 136A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 4mOhm @ 44A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 51W (Ta), 127W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика 8-DFN (5x6.15)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 6V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 80 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 43.4 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2980 pF @ 40 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 60V 100A TDSON

Инвентаризация: 7850

MOSFET N-CH 80V 100A TDSON

Инвентаризация: 16165

MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8-6

Инвентаризация: 0

N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET

Инвентаризация: 4058

MOSFET N-CH 60V 45.6A/186A PPAK

Инвентаризация: 8970

Top