Инвентаризация:9803

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-VDFN Exposed Pad
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 30A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 10mOhm @ 15A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 20W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика DFN3333
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 28 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1020 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 60V 5.3A 6UDFN

Инвентаризация: 25521

Top