Технические детали

• Пакет/кейс 14-DIP (0.300", 7.62mm)
• Тип монтажа Through Hole
• Тип транзистора 2 NPN, 2 PNP Complementary
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• Мощность - Макс. 750mW
• Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 500mA
• Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 150V
• Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 700mV @ 2mA, 20mA
• Ток-отсечка коллектора (макс.) 250nA (ICBO)
• Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 35 @ 10mA, 10V
• Частота – переход 50MHz
• Пакет устройств поставщика 14-PDIP