Технические детали

• Пакет/кейс 14-DIP (0.300", 7.62mm)
• Тип монтажа Through Hole
• Тип транзистора 2 NPN, 2 PNP
• Рабочая Температура -65°C ~ 150°C (TJ)
• Мощность - Макс. 500mW
• Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 200mA
• Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 40V
• Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
• Ток-отсечка коллектора (макс.) 50nA (ICBO)
• Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 70 @ 10mA, 1V
• Частота – переход 200MHz
• Пакет устройств поставщика TO-116