Технические детали

• Пакет/кейс 3-SIP
• Тип монтажа Through Hole
• Тип транзистора PNP
• Рабочая Температура 150°C (TJ)
• Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 500mV @ 400mA, 8A
• Ток-отсечка коллектора (макс.) 10µA
• Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 100 @ 2A, 2V
• Частота – переход 150MHz
• Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 10 A
• Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 100 V
• Мощность - Макс. 1.8 W