Технические детали

• Пакет/кейс 3-SSIP
• Тип монтажа Through Hole
• Тип транзистора PNP
• Рабочая Температура 150°C (TJ)
• Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 500mV @ 60mA, 300mA
• Ток-отсечка коллектора (макс.) 10µA (ICBO)
• Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 30 @ 100mA, 5V
• Частота – переход 28MHz
• Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 1 A
• Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 600 V
• Мощность - Макс. 1 W