Технические детали

• Пакет/кейс 3-SSIP
• Тип монтажа Through Hole
• Тип транзистора NPN - Pre-Biased
• Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
• Ток-отсечка коллектора (макс.) 500nA
• Пакет устройств поставщика 3-SPA
• Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 100 mA
• Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 50 V
• Мощность - Макс. 300 mW
• Частота – переход 250 MHz
• Резистор — база (R1) 22 kOhms
• Резистор — база эмиттера (R2) 22 kOhms