Технические детали

• Пакет/кейс 3-SSIP
• Тип монтажа Through Hole
• Тип транзистора NPN
• Рабочая Температура 150°C (TJ)
• Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 1.5V @ 5mA, 50mA
• Ток-отсечка коллектора (макс.) 100nA (ICBO)
• Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 60 @ 10mA, 10V
• Частота – переход 50MHz
• Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 200 mA
• Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 300 V
• Мощность - Макс. 1 W