Технические детали

• Пакет/кейс 3-SSIP
• Тип монтажа Through Hole
• Тип транзистора NPN - Pre-Biased
• Ток-отсечка коллектора (макс.) 100nA (ICBO)
• Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 1000 @ 1A, 5V
• Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 2 A
• Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 60 V
• Мощность - Макс. 1 W
• Резистор — база (R1) 1 kOhms
• Резистор — база эмиттера (R2) 10 kOhms