Технические детали

• Пакет/кейс DirectFET™ Isometric MN
• Тип монтажа Surface Mount
• Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Тип полевого транзистора N-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 86A (Tc)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 7mOhm @ 17A, 10V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 4.9V @ 150µA
• Пакет устройств поставщика DIRECTFET™ MN
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
• ВГС (Макс) ±20V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 50 nC @ 10 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2120 pF @ 25 V