Технические детали

• Пакет/кейс DirectFET™ Isometric SJ
• Тип монтажа Surface Mount
• Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Тип полевого транзистора N-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 5.7A (Ta), 25A (Tc)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 35mOhm @ 5.7A, 10V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 2.2W (Ta), 42W (Tc)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 4.9V @ 50µA
• Пакет устройств поставщика DIRECTFET™ SJ
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
• ВГС (Макс) ±20V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 20 nC @ 10 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 890 pF @ 25 V