Инвентаризация:2010

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-220-3
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 120A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 3.4mOhm @ 100A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 136W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.2V @ 340µA
  • Пакет устройств поставщика PG-TO220-3-1
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) +5V, -16V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 40 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 234 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 15000 pF @ 25 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 40V 120A TO220-3

Инвентаризация: 0

MOSFET P-CH 50V 140A TO220AB

Инвентаризация: 9611

MOSFET P-CH 60V 80A TO220-3

Инвентаризация: 2448

MOSFET N-CH 30V 120A TO220

Инвентаризация: 285

MOSFET P-CH 60V 9.2A/53A TO220AB

Инвентаризация: 3460

Top