Технические детали

• Пакет/кейс TO-237AA
• Тип монтажа Through Hole
• Тип транзистора PNP
• Рабочая Температура -65°C ~ 150°C (TJ)
• Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 500mV @ 10mA, 250mA
• Ток-отсечка коллектора (макс.) 100nA (ICBO)
• Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 80 @ 50mA, 1V
• Частота – переход 500MHz
• Пакет устройств поставщика TO-237
• Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 2 A
• Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 60 V
• Мощность - Макс. 1 W