Технические детали

• Пакет/кейс TO-3P-3, SC-65-3
• Тип монтажа Through Hole
• Рабочая Температура 150°C
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Тип полевого транзистора N-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 5A (Ta)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 3.6Ohm @ 2A, 10V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 120W (Tc)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 3V @ 1mA
• Пакет устройств поставщика TO-3P
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
• ВГС (Макс) ±30V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 900 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 700 pF @ 20 V