Инвентаризация:1517

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-220-3
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура 175°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 20A
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 120mOhm @ 10A, 5V
  • Особенность полевого транзистора Logic Level Gate, 4V Drive
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 105W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика TO-220
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 5V
  • ВГС (Макс) ±15V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 30 nC @ 5 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1500 pF @ 25 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 60V 37.2A TO220AB

Инвентаризация: 1960

MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB

Инвентаризация: 24082

MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 30V 62A TO220AB

Инвентаризация: 17825

MOSFET N-CH 55V 47A TO220AB

Инвентаризация: 4229

MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB

Инвентаризация: 1668

MOSFET-PWR N-CHAN 60V 17A TO-220

Инвентаризация: 158

MOSFET N-CH 100V 12A TO220-3

Инвентаризация: 7087

MOSFET 3N/3P-CH 60V 10A 12SIP

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB

Инвентаризация: 715

Top