Технические детали

• Пакет/кейс 3-SIP
• Тип монтажа Through Hole
• Тип транзистора NPN
• Рабочая Температура 125°C (TJ)
• Мощность - Макс. 300mW
• Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 50mA
• Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 19V
• Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 39 @ 5mA, 10V
• Частота – переход 1.1GHz
• Пакет устройств поставщика 3-SIP