Инвентаризация:2987

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerWDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 11.3A (Ta), 49A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 13.8mOhm @ 15A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 3.2W (Ta), 61W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.4V @ 420µA
  • Пакет устройств поставщика 8-WDFN (3.3x3.3)
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 40 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 26.5 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1734 pF @ 20 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3

Инвентаризация: 532327

MOSFET P-CH 30V 13.4A/47.6A 8DFN

Инвентаризация: 1130

MOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN

Инвентаризация: 5429

MOSFET P-CH 40V 13A/64A 8WDFN

Инвентаризация: 20254

Top