Технические детали

• Пакет/кейс 6-VDFN Exposed Pad
• Тип монтажа Surface Mount
• Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Мощность - Макс. 650mW
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 30V
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 2.9A
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 220pF @ 15V
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 123mOhm @ 2.9A, 4.5V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 3nC @ 4.5V
• Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
• Vgs(th) (Макс) @ Id 1.5V @ 250µA
• Пакет устройств поставщика 6-MicroFET (2x2)