Технические детали

• Пакет/кейс TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
• Тип монтажа Through Hole
• Тип транзистора NPN - Pre-Biased
• Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
• Ток-отсечка коллектора (макс.) 100nA (ICBO)
• Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
• Пакет устройств поставщика TO-92-3
• Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 100 mA
• Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 40 V
• Мощность - Макс. 300 mW
• Частота – переход 250 MHz
• Резистор — база (R1) 10 kOhms