Технические детали

• Пакет/кейс 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
• Тип монтажа Surface Mount
• Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
• Рабочая Температура 150°C
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Мощность - Макс. 2.2W (Ta)
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 30V
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 6A (Ta)
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 490pF @ 10V
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 37mOhm @ 6A, 10V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 9.1nC @ 10V
• Особенность полевого транзистора Logic Level Gate, 4V Drive
• Vgs(th) (Макс) @ Id 2.6V @ 1mA
• Пакет устройств поставщика 8-SOP