- Модель продукта IPN60R2K0PFD7SATMA1
- Бренд IR (Infineon Technologies)
- RoHS 1
- Описание MOSFET N-CH 600V 3A SOT223
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс TO-261-3
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 3A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 2Ohm @ 500mA, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 6W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4.5V @ 30µA
- Пакет устройств поставщика PG-SOT223-3-1
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 600 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 3.8 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 134 pF @ 400 V
Сопутствующие товары
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363
Инвентаризация: 1223900
MOSFET N-CH 600V 5A TO252
Инвентаризация: 19193
MOSFET N-CH 700V TDSON-8
Инвентаризация: 0
MOSFET N-CH 500V 3.6A SOT223
Инвентаризация: 7734
CONSUMER PG-SOT223-3
Инвентаризация: 2982
MOSFET N-CH 600V 10A SOT223
Инвентаризация: 13157
CONSUMER PG-SOT223-3
Инвентаризация: 5970
MOSFET N-CH 800V 4A SOT223
Инвентаризация: 1768
SOT-23, MOSFET
Инвентаризация: 29150
