- Модель продукта IPT60R022S7XTMA1
- Бренд IR (Infineon Technologies)
- RoHS 1
- Описание MOSFET N-CH 600V 23A 8HSOF
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2382
Технические детали
- Пакет/кейс 8-PowerSFN
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 23A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 22mOhm @ 23A, 12V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 390W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4.5V @ 1.44mA
- Пакет устройств поставщика PG-HSOF-8-2
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 12V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 600 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 150 nC @ 12 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 5639 pF @ 300 V