Инвентаризация:1753

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-3P-3 Full Pack
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 50A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 83mOhm @ 25A, 15V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 120W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 7V @ 5mA
  • Пакет устройств поставщика TO-3PF
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V
  • ВГС (Макс) ±30V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 600 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 120 nC @ 15 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 4500 pF @ 100 V

Сопутствующие товары


IGBT TRENCH FS 650V 80A TO3PF-3

Инвентаризация: 6

MOSFET N-CH 650V 40A TO220F

Инвентаризация: 646

MOSFET N-CH 600V 50A TO247G

Инвентаризация: 541

MOSFET N-CH 650V 58A ISOWATT

Инвентаризация: 195

IGBT TRENCH FS 600V 80A TO3PF-3

Инвентаризация: 590

Top