Инвентаризация:2483

Технические детали

  • Пакет/кейс SC-100, SOT-669
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 200A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 1.9mOhm @ 25A, 10V
  • Особенность полевого транзистора Schottky Diode (Body)
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 194W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3.6V @ 1mA
  • Пакет устройств поставщика LFPAK56, Power-SO8
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 40 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 80 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 6198 pF @ 20 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 40V 280A LFPAK56

Инвентаризация: 7514

MOSFET N-CH 40V 240A LFPAK56

Инвентаризация: 4080

Top