Технические детали

• Тип монтажа Surface Mount
• Тип транзистора 2 NPN (Dual)
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• Мощность - Макс. 830mW
• Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 500mA
• Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 400V
• Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 175mV @ 100mA, 500mA
• Ток-отсечка коллектора (макс.) 50nA (ICBO)
• Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 10 @ 500mA, 5V
• Частота – переход 40MHz