Технические детали

• Пакет/кейс TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
• Тип монтажа Through Hole
• Тип транзистора PNP
• Рабочая Температура 150°C (TJ)
• Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 1V @ 50mA, 500mA
• Ток-отсечка коллектора (макс.) 100nA (ICBO)
• Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 5V
• Частота – переход 120MHz
• Пакет устройств поставщика TO-92-3
• Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 800 mA
• Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 120 V
• Мощность - Макс. 900 mW