Технические детали

• Пакет/кейс TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
• Тип монтажа Through Hole
• Тип транзистора NPN
• Рабочая Температура 150°C (TJ)
• Мощность - Макс. 350mW
• Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 25V
• Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 60 @ 4mA, 10V
• Частота – переход 650MHz
• Пакет устройств поставщика TO-92-3