Инвентаризация:23431

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 3.44A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 130mOhm @ 3.44A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 2.5W (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 1mA
  • Пакет устройств поставщика PG-DSO-8-6
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 30 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 875 pF @ 25 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 30V 10A 8SO

Инвентаризация: 48564

MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB

Инвентаризация: 33287

MOSFET P-CH 100V 4A TO252-3

Инвентаризация: 0

Top