Инвентаризация:8143

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 4.4A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 37mOhm @ 4.4A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 660mW (Ta), 8.3W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика TO-236AB
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 8 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 266 pF @ 15 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB

Инвентаризация: 28554

IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SOIC

Инвентаризация: 2476

P-CHANNEL MOSFET,DPAK

Инвентаризация: 2770

Top