Инвентаризация:1925

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerVDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 36A (Ta), 235A (Tc)
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 3.8W (Ta), 166W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика 8-DFN (5x6.15)
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 91 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 6660 pF @ 25 V

Сопутствующие товары


DIODE ZENER 5.1V 1.25W DO214AC

Инвентаризация: 8930

MOSFET N-CH 100V 5.9A/8.3A 8SOIC

Инвентаризация: 21109

Top