Инвентаризация:2900

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerWDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 6.3A (Ta), 21A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 32mOhm @ 5A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 3.1W (Ta), 31W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 20µA
  • Пакет устройств поставщика 8-WDFN (3.3x3.3)
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 80 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 6.9 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 370 pF @ 40 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4

Инвентаризация: 2250

MOSFET P-CH 40V 110A D2PAK

Инвентаризация: 661

MOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFN

Инвентаризация: 0

MOSFET P-CH 60V 2.4A 8WDFN

Инвентаризация: 1335

DIODE ZENER 5.1V 3W SMB

Инвентаризация: 4393

Top