Инвентаризация:3438

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 100A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 1.8mOhm @ 30A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 3.03W
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика PowerDI5060-8 (Type K)
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 40 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 79.5 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 6968 pF @ 20 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


IAUC100N04S6N015ATMA1

Инвентаризация: 2576

IAUC100N04S6N028ATMA1

Инвентаризация: 9910

MOSFET N-CH 80V 30A/224A 5DFN

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT

Инвентаризация: 843

Top