Инвентаризация:6216

Технические детали

  • Пакет/кейс 9-UFBGA, WLBGA
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 13.2A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 5.7mOhm @ 2A, 4.5V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 840mW (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 1.1V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика U-WLB1515-9 (Type C)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 2.5V, 4.5V
  • ВГС (Макс) ±6V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 8 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 8.2 nC @ 4.5 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 900 pF @ 4 V

Сопутствующие товары


MOSFET BVDSS: 8V~24V U-WLB1515-9

Инвентаризация: 0

Top