Qianbao Technology QBTech Электронные компоненты Интегрированные схемы (IC) Полупроводниковые устройства Современные предприятия, объединяющие производство и продажу

Картинки

Модель продукта

Классификация

Описание

Цена

BOM

RN1908(T5L,F,T)

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Дискретные полупроводниковые изделия / Транзисторы / Биполярный (БЮТ) / Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Инвентаризация: 4486

RN2962(TE85L,F)

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Дискретные полупроводниковые изделия / Транзисторы / Биполярный (БЮТ) / Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Инвентаризация: 4239

RN1502(TE85L,F)

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Дискретные полупроводниковые изделия / Транзисторы / Биполярный (БЮТ) / Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV

Инвентаризация: 22269

RN1503(TE85L,F)

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Дискретные полупроводниковые изделия / Транзисторы / Биполярный (БЮТ) / Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV

Инвентаризация: 1500

RN1507(TE85L,F)

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Дискретные полупроводниковые изделия / Транзисторы / Биполярный (БЮТ) / Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV

Инвентаризация: 23978

RN1508(TE85L,F)

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Дискретные полупроводниковые изделия / Транзисторы / Биполярный (БЮТ) / Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV

Инвентаризация: 3986

RN1509(TE85L,F)

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Дискретные полупроводниковые изделия / Транзисторы / Биполярный (БЮТ) / Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV

Инвентаризация: 1500

RN1510(TE85L,F)

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Дискретные полупроводниковые изделия / Транзисторы / Биполярный (БЮТ) / Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV

Инвентаризация: 1622

RN1511(TE85L,F)

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Дискретные полупроводниковые изделия / Транзисторы / Биполярный (БЮТ) / Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV

Инвентаризация: 4355

RN1601(TE85L,F)

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Дискретные полупроводниковые изделия / Транзисторы / Биполярный (БЮТ) / Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

Инвентаризация: 1500

Выбор языка